主要指标

1) 芯片直流耐压高于50V，推荐工作电压在5~50V，

2) 纯MOSFET实现，比较普通的BJT三极管电路功耗更低，静态电流<10nA

3) 输入高低转换电平在2.1V左右，与各种单片机兼容

4) 输入端INA和INB自带100K左右的下拉电阻

5) 集成高速续流二极管，具有嵌位反向电压功能，可取消一般应用中的TVS管

6) 典型驱动电流300mA，并根据继电器本身线圈内阻不同（驱动电流等于电源电压除以芯片本身驱动内阻和继电器线圈内阻之合，芯片本身驱动内阻：电源电压12V时为15Ω，电源电压30V时为12Ω）。

7) 最大驱动电流800mA（是指芯片能承受的继电器线圈电感反冲电流的值。该值与电源电压有关，800mA是指一般工作电压12V的情况。在极限工作电压36V时，驱动电流应小于400mA）。

功能框图

引脚描述

推荐应用电路

元器件选型

注1：8023是功率器件，当供电电压大于25V，芯片的退耦电容容值尽量采用高于1uF。
注2：电源端的限流电阻在供电电压小于25V时可以省略，当供电电压大于25V时需要加上，并且设计人员需要根据电路中实际电流来计算这个电阻的功率。
注3：8023芯片是低、高电压转换的电路，输入PIN串联电阻必须加上，这个电阻起到两方面保护的作用，一是防止输入信号的电流过大，造成8023输入PIN损坏或latch up；二是当8023芯片在高电压击穿时，这个电阻可以有效的保护单片机的IO口。

原理图设计参考

PCB版图设计参考

注：青色为PCB的BOTTOM层，全部覆铜，网络是GND。
红色为PCB的TOP层，所有元器件在TOP层。